NVF6P02T3G

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Pièce du fabricant

NVF6P02T3G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1068000
Fiches techniques en ligne
NVF6P02T3G PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:50mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 16 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):8.3W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223 (TO-261)
  • paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
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