NTD4809NA-35G

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Pièce du fabricant

NTD4809NA-35G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2840
Fiches techniques en ligne
NTD4809NA-35G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:9.6A (Ta), 58A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 11.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.456 pF @ 12 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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