IRF730

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Pièce du fabricant

IRF730

Fabricant
Rochester Electronics
La description
N-CHANNEL, MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
100000
Fiches techniques en ligne
IRF730 PDF
Enquête
  • séries:PowerMESH™ II
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):400 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.5A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1Ohm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:530 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):100W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220
  • paquet / caisse:TO-220-3
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