FDV302P

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Pièce du fabricant

FDV302P

Fabricant
Rochester Electronics
La description
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
189000
Fiches techniques en ligne
FDV302P PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):25 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:120mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.7V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:10Ohm @ 200mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:0.31 nC @ 4.5 V
  • vg (max):-8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:11 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):350mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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