CSD16323Q3

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Pièce du fabricant

CSD16323Q3

Fabricant
Texas
La description
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
21000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):25 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:21A (Ta), 60A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):3V, 8V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 24A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.4 nC @ 4.5 V
  • vg (max):+10V, -8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 12.5 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
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