CSD25213W10

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Pièce du fabricant

CSD25213W10

Fabricant
Texas
La description
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
600000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.6A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:47mOhm @ 1A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:2.9 nC @ 4.5 V
  • vg (max):-6V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:478 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:4-DSBGA (1x1)
  • paquet / caisse:4-UFBGA, DSBGA
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