SI2336DS-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SI2336DS-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
60000
Fiches techniques en ligne
SI2336DS-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.2A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:42mOhm @ 3.8A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 8 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:560 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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