2N7002MTF

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Pièce du fabricant

2N7002MTF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
79200
Fiches techniques en ligne
2N7002MTF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:115mA (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:50 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):200mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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