FDT459N

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Pièce du fabricant

FDT459N

Fabricant
Rochester Electronics
La description
6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
250000
Fiches techniques en ligne
FDT459N PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 6.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:365 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223-4
  • paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
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