STD11NM50N

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Pièce du fabricant

STD11NM50N

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
235
Fiches techniques en ligne
STD11NM50N PDF
Enquête
  • séries:MDmesh™ II
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):500 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8.5A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:470mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
  • vg (max):±25V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:547 pF @ 50 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):70W (Tc)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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