BSP135L6327HTSA1

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Pièce du fabricant

BSP135L6327HTSA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1000000
Fiches techniques en ligne
BSP135L6327HTSA1 PDF
Enquête
  • séries:SIPMOS®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:120mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):0V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:45Ohm @ 120mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 94µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 5 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:146 pF @ 25 V
  • fonction fet:Depletion Mode
  • puissance dissipée (max):1.8W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223-4
  • paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
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