STH315N10F7-6

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Pièce du fabricant

STH315N10F7-6

Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
501000
Fiches techniques en ligne
STH315N10F7-6 PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:180A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.3mOhm @ 60A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:180 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:12800 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):315W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:H2PAK-6
  • paquet / caisse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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