IPB014N06NATMA1

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Pièce du fabricant

IPB014N06NATMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
400000
Fiches techniques en ligne
IPB014N06NATMA1 PDF
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:34A (Ta), 180A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 143µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:106 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7800 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):3W (Ta), 214W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-7
  • paquet / caisse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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