ISP75DP06LMXTSA1

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Pièce du fabricant

ISP75DP06LMXTSA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
202200
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:750mOhm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 77µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223-4
  • paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
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