NTZS3151PT1G

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Pièce du fabricant

NTZS3151PT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
20000
Fiches techniques en ligne
NTZS3151PT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:860mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:150mOhm @ 950mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.6 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:458 pF @ 16 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):170mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-563
  • paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
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