Name: SIHB120N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB120N60E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: SIHB120N60E-GE3

Fabricant: Vishay / Siliconix

La description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 1085

Fiches techniques en ligne: -

SIHB120N60E-GE3 Avis

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séries:E
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:25A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1562 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):179W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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