IRF6645TRPBF

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Pièce du fabricant

IRF6645TRPBF

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
6000
Fiches techniques en ligne
IRF6645TRPBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.7A (Ta), 25A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 5.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.9V @ 50µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:890 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DIRECTFET™ SJ
  • paquet / caisse:DirectFET™ Isometric SJ
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