CSD25304W1015T

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Pièce du fabricant

CSD25304W1015T

Fabricant
Texas
La description
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2396
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.15V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.4 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:595 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):750mW (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-DSBGA
  • paquet / caisse:6-UFBGA, DSBGA
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