AFGB40T65SQDN

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Pièce du fabricant

AFGB40T65SQDN

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
650V/40A FS4 IGBT TO263 A
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):80 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 40A
  • puissance - maximum:238 W
  • énergie de commutation:858µJ (on), 229µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:76 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:17.6ns/75.2ns
  • condition de test:400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):131 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK-3 (TO-263-3)
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