NGTB15N60S1EG

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Pièce du fabricant

NGTB15N60S1EG

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 600V 30A 117W TO220-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
178
Fiches techniques en ligne
NGTB15N60S1EG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):30 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 15A
  • puissance - maximum:117 W
  • énergie de commutation:550µJ (on), 350µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:88 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:65ns/170ns
  • condition de test:400V, 15A, 22Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):270 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-220-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220
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