NGTB50N120FL2WG

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Pièce du fabricant

NGTB50N120FL2WG

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
34862
Fiches techniques en ligne
NGTB50N120FL2WG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):100 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 50A
  • puissance - maximum:535 W
  • énergie de commutation:4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:311 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:118ns/282ns
  • condition de test:600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):256 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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