FGH50N3

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Pièce du fabricant

FGH50N3

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
437
Fiches techniques en ligne
FGH50N3 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:PT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):300 V
  • courant - collecteur (ic) (max):75 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.4V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:463 W
  • énergie de commutation:130µJ (on), 92µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:180 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:20ns/135ns
  • condition de test:180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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