FGD3N60UNDF

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Pièce du fabricant

FGD3N60UNDF

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
9970
Fiches techniques en ligne
FGD3N60UNDF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):6 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):9 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.52V @ 15V, 3A
  • puissance - maximum:60 W
  • énergie de commutation:52µJ (on), 30µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:1.6 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:5.5ns/22ns
  • condition de test:400V, 3A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):21 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-252, (D-Pak)
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