NGTB10N60R2DT4G

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Pièce du fabricant

NGTB10N60R2DT4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
2630
Fiches techniques en ligne
NGTB10N60R2DT4G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):20 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:72 W
  • énergie de commutation:412µJ (on), 140µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:53 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:48ns/120ns
  • condition de test:300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):90 ns
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
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