FGB5N60UNDF

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Pièce du fabricant

FGB5N60UNDF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
73530
Fiches techniques en ligne
FGB5N60UNDF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):10 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):15 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 5A
  • puissance - maximum:73.5 W
  • énergie de commutation:80µJ (on), 70µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:12.1 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:5.4ns/25.4ns
  • condition de test:400V, 5A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):35 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-263AB (D²PAK)
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