NGTB05N60R2DT4G

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Pièce du fabricant

NGTB05N60R2DT4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
4620
Fiches techniques en ligne
NGTB05N60R2DT4G PDF
Enquête
  • séries:*
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):-
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • courant - collecteur pulsé (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • puissance - maximum:-
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:-
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:-
  • condition de test:-
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:-
  • paquet / caisse:-
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
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