STGP4M65DF2

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Pièce du fabricant

STGP4M65DF2

Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
STGP4M65DF2 PDF
Enquête
  • séries:M
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):8 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):16 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • puissance - maximum:68 W
  • énergie de commutation:40µJ (on), 136µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:15.2 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:12ns/86ns
  • condition de test:400V, 4A, 47Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):133 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-220-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB
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