IKB30N65ES5ATMA1

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Pièce du fabricant

IKB30N65ES5ATMA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IKB30N65 - TRENCHSTOPT HIGH SPEE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
900
Fiches techniques en ligne
IKB30N65ES5ATMA1 PDF
Enquête
  • séries:TrenchStop™ 5
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):62 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:188 W
  • énergie de commutation:560µJ (on), 320µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:70 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:17ns/124ns
  • condition de test:400V, 30A, 13Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):75 ns
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
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