FGA25N120ANTDTU-F109

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Pièce du fabricant

FGA25N120ANTDTU-F109

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
713
Fiches techniques en ligne
FGA25N120ANTDTU-F109 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT and Trench
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.65V @ 15V, 50A
  • puissance - maximum:312 W
  • énergie de commutation:4.1mJ (on), 960µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:200 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:50ns/190ns
  • condition de test:600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):350 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3P-3, SC-65-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3P
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