NGTB25N120FL2WG

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Pièce du fabricant

NGTB25N120FL2WG

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
50000
Fiches techniques en ligne
NGTB25N120FL2WG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
  • courant - collecteur (ic) (max):50 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 25A
  • puissance - maximum:385 W
  • énergie de commutation:1.95mJ (on), 600µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:178 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:87ns/179ns
  • condition de test:600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):154 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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