HGTG10N120BND

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Pièce du fabricant

HGTG10N120BND

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
10450
Fiches techniques en ligne
HGTG10N120BND PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):35 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):80 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:298 W
  • énergie de commutation:850µJ (on), 800µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:100 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/165ns
  • condition de test:960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):70 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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