SGS10N60RUFDTU

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Pièce du fabricant

SGS10N60RUFDTU

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 600V 16A TO220F
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
241500
Fiches techniques en ligne
SGS10N60RUFDTU PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):16 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:55 W
  • énergie de commutation:141µJ (on), 215µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:30 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:15ns/36ns
  • condition de test:300V, 10A, 20Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):60 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220F
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