FGA6530WDF

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Pièce du fabricant

FGA6530WDF

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 650V 60A 176W TO3PN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
900
Fiches techniques en ligne
FGA6530WDF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Last Time Buy
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):60 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:176 W
  • énergie de commutation:960µJ (on), 162µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:37.4 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:12ns/42.4ns
  • condition de test:400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):81 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3P-3, SC-65-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3PN
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