RGTVX6TS65GC11

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Pièce du fabricant

RGTVX6TS65GC11

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
13590
Fiches techniques en ligne
RGTVX6TS65GC11 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):144 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):320 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 80A
  • puissance - maximum:404 W
  • énergie de commutation:2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:171 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:45ns/201ns
  • condition de test:400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247N
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