FGY75N60SMD

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Pièce du fabricant

FGY75N60SMD

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
1050
Fiches techniques en ligne
FGY75N60SMD PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):150 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):225 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 75A
  • puissance - maximum:750 W
  • énergie de commutation:2.3mJ (on), 770µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:248 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:24ns/136ns
  • condition de test:400V, 75A, 3Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):55 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3 Variant
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerTO-247-3
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