HGTD1N120BNS9A

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Pièce du fabricant

HGTD1N120BNS9A

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
2625
Fiches techniques en ligne
HGTD1N120BNS9A PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):5.3 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 1A
  • puissance - maximum:60 W
  • énergie de commutation:70µJ (on), 90µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:14 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:15ns/67ns
  • condition de test:960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
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