RJH60D5BDPQ-E0#T2

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Pièce du fabricant

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Fabricant
Renesas Electronics America
La description
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
RJH60D5BDPQ-E0#T2 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):75 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 37A
  • puissance - maximum:200 W
  • énergie de commutation:400µJ (on), 810µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:78 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:50ns/130ns
  • condition de test:300V, 37A, 5Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):25 ns
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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