RGT30NS65DGTL

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Pièce du fabricant

RGT30NS65DGTL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
101281
Fiches techniques en ligne
RGT30NS65DGTL PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):30 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):45 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 15A
  • puissance - maximum:133 W
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:32 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:18ns/64ns
  • condition de test:400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):55 ns
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:LPDS (TO-263S)
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