NGB8207BNT4G

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Pièce du fabricant

NGB8207BNT4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
1600
Fiches techniques en ligne
NGB8207BNT4G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):365 V
  • courant - collecteur (ic) (max):20 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 4V, 20A
  • puissance - maximum:165 W
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Logic
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:-
  • condition de test:-
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK
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