GT30J341,Q

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Pièce du fabricant

GT30J341,Q

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):59 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:230 W
  • énergie de commutation:800µJ (on), 600µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:80ns/280ns
  • condition de test:300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):50 ns
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3P-3, SC-65-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3P(N)
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