1N5554US

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Pièce du fabricant

1N5554US

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
196
Fiches techniques en ligne
1N5554US PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):1000 V
  • courant - moyen redressé (io):3A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.2 V @ 9 A
  • vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):2 µs
  • courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 1000 V
  • capacité @ vr, f:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SQ-MELF, B
  • paquet de dispositif de fournisseur:B, SQ-MELF
  • température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C
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