FESB16DT-E3/45

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Pièce du fabricant

FESB16DT-E3/45

Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
La description
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
FESB16DT-E3/45 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):200 V
  • courant - moyen redressé (io):16A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:975 mV @ 16 A
  • vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):35 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 200 V
  • capacité @ vr, f:175pF @ 4V, 1MHz
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-263AB
  • température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 150°C
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