JAN1N5620US

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Pièce du fabricant

JAN1N5620US

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
JAN1N5620US PDF
Enquête
  • séries:Military, MIL-PRF-19500/427
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):800 V
  • courant - moyen redressé (io):1A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.3 V @ 3 A
  • vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):2 µs
  • courant - fuite inverse @ vr:500 nA @ 800 V
  • capacité @ vr, f:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SQ-MELF, A
  • paquet de dispositif de fournisseur:D-5A
  • température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 200°C
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