BAS516,H3F

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Pièce du fabricant

BAS516,H3F

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
BAS516,H3F PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):100 V
  • courant - moyen redressé (io):250mA
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.25 V @ 150 mA
  • vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):3 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:200 nA @ 80 V
  • capacité @ vr, f:0.35pF @ 0V, 1MHz
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-79, SOD-523
  • paquet de dispositif de fournisseur:ESC
  • température de fonctionnement - jonction:150°C (Max)
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