WNSC08650T6J

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Pièce du fabricant

WNSC08650T6J

Fabricant
WeEn Semiconductors Co., Ltd
La description
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - simples
Séries
-
En stock
3000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Silicon Carbide Schottky
  • tension - dc inverse (vr) (max):650 V
  • courant - moyen redressé (io):8A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.7 V @ 8 A
  • vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):0 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:50 µA @ 650 V
  • capacité @ vr, f:267pF @ 1V, 1MHz
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:4-VDFN Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:5-DFN (8x8)
  • température de fonctionnement - jonction:175°C (Max)
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