BFR949L3E6327

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Pièce du fabricant

BFR949L3E6327

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF BIPOLAR TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
13974
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):10V
  • fréquence - transition:9GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • Gain:21.5dB
  • puissance - maximum:250mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 5mA, 6V
  • courant - collecteur (ic) (max):50mA
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-101, SOT-883
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TSLP-3-1
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Catégorie de produits

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