MZ0912B50Y,114

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Pièce du fabricant

MZ0912B50Y,114

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
1
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):20V
  • fréquence - transition:1.215GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):-
  • Gain:8dB
  • puissance - maximum:150W
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • courant - collecteur (ic) (max):3A
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SOT-443A
  • paquet de dispositif de fournisseur:CDFM2
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