MT3S111TU,LF

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Pièce du fabricant

MT3S111TU,LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
3372
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):6V
  • fréquence - transition:10GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • Gain:12.5dB
  • puissance - maximum:800mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:3-SMD, Flat Lead
  • paquet de dispositif de fournisseur:UFM
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