BFU660F,115

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Pièce du fabricant

BFU660F,115

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
5949
Fiches techniques en ligne
BFU660F,115 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):5.5V
  • fréquence - transition:21GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • Gain:12dB ~ 21dB
  • puissance - maximum:225mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 10mA, 2V
  • courant - collecteur (ic) (max):60mA
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-343F
  • paquet de dispositif de fournisseur:4-DFP
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