MMBTH10LT3G

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Pièce du fabricant

MMBTH10LT3G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
110000
Fiches techniques en ligne
MMBTH10LT3G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):25V
  • fréquence - transition:650MHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):-
  • Gain:-
  • puissance - maximum:225mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 4mA, 10V
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)
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